Будучи одним из типичных материалов для широкозонных полупроводников, карбид кремния (SiC) в прошлом 2024 году ускорил свое проникновение в большее количество областей. Стимулируемая снижением затрат и повышением эффективности, мировая индустрия карбида кремния сохранила волну "увеличения капитала и расширения" в 2024 году. Смежные компании в промышленной цепочке конкурировали за возможность сделать новые шаги, активно расширяли производственные мощности и продвигали процесс индустриализации карбида кремния для продвижения вперед.

На этом фоне в 2025 году отрасль производства карбида кремния официально вступит в критическую стадию перехода на 8-дюймовую емкость; в то же время компании столкнутся с возросшим конкурентным давлением и новыми вызовами в процессе ускоренного внедрения индустриализации.

Крупные производители делают ставку на "большой размерд ...

Компании, работающие с карбидом кремния, переходят на 8-дюймовые пластины и подложки.

Чтобы захватить большую долю рынка электромобилей, промышленности, энергетики и других отраслей, международные производители, такие как STMicroelectronics и НА Полупроводник, вложили значительные средства в строительство новых 8-дюймовых заводов для расширения мощностей по производству карбида кремния.

В мае 2024 года STMicroelectronics объявила, что построит крупномасштабную интегрированную базу для производства, упаковки и тестирования 8-дюймовых силовых устройств и модулей из карбида кремния в Катании, Италия, которая также является первым в мире вертикально интегрированным заводом по производству карбида кремния с полным циклом производства. Ожидается, что общий объем инвестиций в проект составит 5 миллиардов евро, и, как ожидается, он будет введен в эксплуатацию в 2026 году и достигнет полной производственной мощности к 2033 году. С помощью этого проекта STMicroelectronics реализует свои амбиции по полной вертикальной интеграции производства карбида кремния - завершит производство силовых устройств из карбида кремния от исследований и разработок микросхем до производства, от подложек пластин до модулей в одном парке, что позволит осуществить процесс электрификации и высокоэффективную трансформацию автомобильных и промышленных клиентов.

В июне того же года НА Полупроводник объявила, что инвестирует 2 миллиарда долларов в строительство вертикально интегрированного завода по производству карбида кремния в Чешской Республике для расширения своих производственных мощностей по производству карбида кремния. В декабре НА Полупроводник объявила, что достигла соглашения с Корво о приобретении технологического бизнеса по производству полевых транзисторов с карбидом кремния (SiC JFET) и дочерней компании Корво Соединенные Кремний карбид за 115 миллионов долларов наличными. НА Полупроводник заявила, что этот шаг ускорит подготовку НА Полупроводник к выходу на развивающиеся рынки, такие как разъединители аккумуляторных батарей электромобилей и твердотельные автоматические выключатели.

В августе компания Инфинеон официально запустила первую очередь завода по производству пластин SiC в Кулине, который поможет Инфинеон достичь своей цели — занять 30% мирового рынка SiC к 2030 году.

Кроме того, недавно появились сообщения о том, что немецкий поставщик автозапчастей Бош достиг предварительного соглашения с Министерством торговли США и планирует инвестировать 1,9 млрд долларов в преобразование производственного предприятия в Розвилле (Калифорния) в полупроводниковый завод по производству 8-дюймовых чипов SiC.

Хотя Япония по-прежнему занимает центральное положение в области силовых полупроводников, она также столкнулась с трудностями, вызванными изменениями на рынке и в отрасли в последние годы. По этой причине "anтревожно" Японские производители силовых полупроводников увеличили инвестиции и расширили производство в 2024 году, чтобы укрепить свою цепочку поставок SiC.

В июле 2024 года японская компания Ром Полупроводник через свою дочернюю компанию Лазурит Полупроводник достигла базового соглашения с Солнечная Граница о приобретении активов ее завода в Кунитоми и преобразовании завода в завод по производству 8-дюймовых пластин SiC. В сентябре того же года Сумитомо Металл и ее дочерняя компания Сикокс Сопоставление объявили о строительстве новой 8-дюймовой линии массового производства SiCkrest (технология производства подложек с прямым склеиванием, разработанная Сикокс) на заводе Сикокс в Окучи. Другая японская компания, Фудзи Электрический, объявила, что инвестирует 200 миллиардов иен в производство силовых полупроводников из карбида кремния в 2024–2026 финансовых годах, включая мощности по производству 8-дюймовых SiC на своем заводе в Мацумото в Японии, который, как ожидается, начнет производство в 2027 году.

Стоит отметить, что моя страна также догоняет в производстве 8-дюймовых пластин. В апреле 2024 года 8-дюймовая инженерная пластина из карбида кремния компании Синьлянь Интегрированный была успешно запущена в производство, став первой фабрикой по производству пластин в Китае, которая начала производство 8-дюймового карбида кремния, и планирует выйти на массовое производство в 2025 году.

Инсайдеры отрасли отметили, что переход от 6-дюймового к 8-дюймовому карбид кремния является неизбежной тенденцией, а массовое производство 8-дюймовых изделий поможет изделиям из карбида кремния перейти к широкомасштабному применению.

Мощность производства подложек из карбида кремния "значительно улучшена"

С точки зрения промышленной цепочки, основная проблема, с которой сталкивается карбид кремния во время модернизации и переключения передач, находится на стороне подложки. Из-за высоких технических и финансовых барьеров подложек из карбида кремния, производственные мощности подложек влияют на темпы развития отрасли карбида кремния. В последние годы отрасль подложек из карбида кремния в моей стране быстро развивалась и стала важной глобальной производственной базой.

В 2024 году компании, занимающиеся производством подложек из карбида кремния, активно расширяли производственные мощности, и все больше проектов перешли на стадию реализации или достигли прогресса.