По данным Китайской ассоциации производителей электронных материалов, 31 декабря 2024 года компания Шаньси Шуоке Кристалл Ко., ООО., дочерняя компания Китай Электроника Технологии Полупроводник Материалы Ко., ООО., недавно успешно разработала 12-дюймовую (300 мм) полуизолирующую монокристаллическую подложку из карбида кремния высокой чистоты, а также одновременно успешно разработала 12-дюймовую монокристаллическую подложку из карбида кремния N-типа.

Что касается строительства мощностей, проект Шуоке Кристалл Кремний карбид Фаза II прошел приемку завершения в октябре 2024 года, что ознаменовало официальное начало производства проекта. Ожидается, что завершение проекта Фаза II принесет Шуоке Кристалл дополнительно 200 000 6-8-дюймовых подложек из карбида кремния в год, включая 200 000 монокристаллических подложек из карбида кремния N-типа в год и 25 000 высокочистых подложек в год.

Что касается 8-дюймового прогресса, Шуоке Кристалл разработала 8-дюймовые кристаллы карбида кремния в августе 2021 года, а затем в январе 2022 года Шуоке Кристалл достигла мелкосерийного производства 8-дюймовых полирующих пластин из карбида кремния N-типа. Увеличение размера пластины означает, что на каждой пластине можно изготавливать больше чипов, тем самым повышая эффективность производства. Это не только снижает себестоимость производства одного чипа, но и оптимизирует общую стоимость производства. Таким образом, пластины большого размера более экономически эффективны и приносят производителям большие конкурентные преимущества.

В настоящее время пластины большого размера стали общей целью, преследуемой крупными производителями. В дополнение к Шуоке Кристалл, Тяньюэ Передовой выпустила 12-дюймовый продукт из карбида кремния N-типа 13 ноября 2024 года, ознаменовав, что индустрия карбида кремния официально вступила в эру сверхбольших подложек из карбида кремния. Хотя область подложек из карбида кремния в настоящее время трансформируется с 6 дюймов до 8 дюймов, будущая эволюция до 12 дюймов имеет высокую видимость.